在电学性质上，MOS管的源和漏是可以相互交换的，双极型晶体管的发射极和集电极是可以相互交换的。（)

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发布时间：2022-10-08

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第1题

增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第2题

如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。

A.漏端，漏端

B.漏端，源端

C.源端，漏端

D.源端，源端

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第3题

判断一个MOS管是否导通的关键是（)与阈值电压作比较。

A.衬底与源间电压

B.漏源电压

C.栅漏电压

D.栅源电压

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第4题

设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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第5题

下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（)。

A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等

B.晶格散射导致的载流子迁移率退化

C.小尺寸器件中的纵向电场

D.栅漏电容的米勒效应

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第6题

扩散是半导体掺杂的重要方法之一，广泛应用于集成电路中，形成晶体管的基极、发射极、集电极，电阻，MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。（)

此题为判断题(对，错)。

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第7题

已知某耗尽型MOS管的夹断电压UP=-2.5V，饱和漏极电流I_DSS=0.5mA，求U_GS=-1V时的漏极电流I_D和跨导gm。

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第8题

电路如图题6.4.5所示，其中V_DD=5V，R_si=2千欧，R_g1=60千欧，R_g2=40千欧，R_d=R≇

电路如图题6.4.5所示，其中V_DD=5V，R_si=2千欧，R_g1=60千欧，R_g2=40千欧，R_d=R_L=5.1 千欧，MOS管参数为K_n=0.8mA/V²，V_TN=1V，λ=0，C_gn=1pF，C_gd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益A_rSM和源电压增益的上限频率f_H。