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[主观题]

已知某耗尽型MOS管的夹断电压UP=-2.5V,饱和漏极电流IDSS=0.5mA,求UGS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。

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更多“已知某耗尽型MOS管的夹断电压UP=-2.5V,饱和漏极电流IDSS=0.5mA,求UGS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。”相关的问题

第1题

题7.24所示电路为耗尽型场效应管的自给偏压放大电路,设场效应管的夹断电压UP=2V,饱和漏极
电流IDSS=2mA,各电容的容抗均可忽略。

(1)求静态工作点和跨导;

(2)画出微变等效电路,并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

(3)若CS=0,重复(2)的计算。

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第2题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A.正值,强反型

B.正值,导电沟道消失

C.负值,强反型

D.负值,导电沟道消失

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第3题

增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第4题

如果MOS管进入饱和工作区后,继续增加VDS,则沟道夹断点向___移动,在___将出现耗尽区。

A.漏端,漏端

B.漏端,源端

C.源端,漏端

D.源端,源端

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第5题

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第6题

MOS管的栅极可与双极型栅极的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第7题

MOS管的栅极与双极型三极管的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第8题

六管MOS型存储单元采用的是()存储信息。

A.电容

B.单稳态触发器

C.双稳态触发器

D.三极管

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第9题

在电学性质上,MOS管的源和漏是可以相互交换的,双极型晶体管的发射极和集电极是可以相互交换的。()
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第10题

(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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