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[主观题]

扩散是半导体掺杂的重要方法之一，广泛应用于集成电路中，形成晶体管的基极、发射极、集电极，电阻，MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。（)

此题为判断题(对，错)。

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发布时间：2022-07-01

更多“扩散是半导体掺杂的重要方法之一，广泛应用于集成电路中，形成晶体管的基极、发射极、集电极，电阻，MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。（)”相关的问题

第1题

以下物理参量中，不随半导体掺杂浓度变化的是？（)

A.半导体的导带底

B.半导体的电子亲和能

C.半导体的费米能级

D.半导体的功函数

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第2题

在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（)。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

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第3题

在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（)。

A.W型

B.N型有P型

C.U型

D.V型

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第4题

在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（)。

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

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第5题

关于P型半导体的下列说法，错误的是（)。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

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第6题

在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为()。

在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（)。

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第7题

半导体硅是（）工业重要基础材料、目前世界有（）和（）两种方法制备硅单晶，其中85%以上是用（）工艺制做的。

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第8题

扩散硅压力变送器是基于扩散硅半导体压阻片的()与被测压力成正比的原理工作的。

扩散硅压力变送器是基于扩散硅半导体压阻片的（)与被测压力成正比的原理工作的。

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第9题

MOS结构半导体表面处于反型区时，表面电荷的改变主要依靠的是漂移与扩散运动。（)

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第10题

扩散硅压阻片的测压原理是半导体的电阻变化率与被测压力（)。

A.成正比

B.成反比

C.成线性关系

D.成一定的函数关系

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