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题目内容
（请给出正确答案）
A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
答案
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第2题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的
沟道长度调制效应忽略不计,试求
值.
第6题
A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系
D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
第9题
A.在左侧食道沟内可见胃管端下移
B.鼻嗅胃管端有胃内酸臭气
C.推送胃管稍有阻力感，发滞
D.触摸颈食管沟部感到有一坚硬的索状物
E.无阻力，有时引起咳嗽，胃管不受阻
