题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
测得某增强型场效应管栅源电压为2V,已知Vth=1V,则该管不可能工作在()区。
答案
查看答案
第4题
(1)求静态工作点和跨导;
(2)画出微变等效电路,并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(3)若CS=0,重复(2)的计算。
第6题
A.VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0
B.VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止
第7题
A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性,电流与基本上是线性关系
D.越大,漏端沟道越来越薄,沟道电阻越大
第10题
)所示。电路参数为,Rg1=180千欧,Rg2=60千欧,Rd=10千欧,RL=20千欧,VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线,决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。