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[判断题]

制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)

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发布时间：2022-08-21

更多“制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。()”相关的问题

第1题

p沟增强型MOS管的开启电压为___，沟道中导电载流子为___。

A.正值，电子

B.正值，空穴

C.负值，电子

D.负值，空穴

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第2题

设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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第3题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为（)，达到阈值电压后，表面为（)状态。

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

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第4题

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第5题

增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第6题

好氧法处理有机废水时,营养比C:N:P比例一般应为（)。

A.20:5:1

B.100:20:1

C.100:5:1

D.50:2:1

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第7题

n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（)。

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系

D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大

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第8题

直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（)。

A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区

B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路

C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高

D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高

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第9题

下列情况，按体积以“m₃”为单位计算的有_______。

A.各种井的预制构件

B.各类混凝土盖板的制作

C.方沟闭水试验

D.抹灰、勾缝

E.井、渠(管)道垫层、基础

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第10题

制作青贮饲料成败的主要因素是原料成分和调制过程中所造成的（)

A.酸性环境

B.厌氧环境

C.好氧环境

D.生活环境

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