题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。
A.漏端，漏端
B.漏端，源端
C.源端，漏端
D.源端，源端
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（请给出正确答案）
A.漏端，漏端
B.漏端，源端
C.源端，漏端
D.源端，源端
答案
更多“如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。”相关的问题
第1题
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
第6题
电路如图题2.1.1所示，运放的
设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=100μV,试求输出电压v0=？实际上v0应为多少？(2)设Vom=±11V,画出它的传输特性。
第7题
A.方案I
B.方案II
C.方案III
D.方案IV。
第10题
A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
