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测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管不可能工作在（）区。

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发布时间：2022-06-19

更多“测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管不可能工作在（）区。”相关的问题

第1题

增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第2题

由直流电源和两个电阻组成的串联电路，测得R2两端的电压为2V，将R2取下，用一个2V的理想电压源接到R2的位置上，其极性与R2上的电压极性相同，则电路中的电流变大。（)

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第3题

某被检电压表的示值为300 V时，用标准电压表测得其电压的实际值为298 V，则被检电压表的示值误差为

()。

A.一2 V

B.+2 V

C.±2 V

D.|—2V|

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第4题

题7.24所示电路为耗尽型场效应管的自给偏压放大电路，设场效应管的夹断电压U_P=2V，饱和漏极

电流I_DSS=2mA，各电容的容抗均可忽略。

(1)求静态工作点和跨导;

(2)画出微变等效电路，并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

(3)若C_S=0，重复(2)的计算。

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第5题

实验测得某含源线性一端口网络的开路电压为6V，短路电流为3A,当外接电阻为4Ω时，该电阻的功率为（)。

A.4W

B.8W

C.6W

D.2W

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第6题

设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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第7题

n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（)。

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系

D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大

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第8题

某导体通过一段电路，电流为4A，电阻为8Ω，则该段电路中的电压为（）。

A.2V

B.4V

C.8V

D.32V

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第9题

制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)

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第10题

已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3

已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b（主教材图题4.3.3

)所示。电路参数为，R_g1=180千欧，R_g2=60千欧，R_d=10千欧，R_L=20千欧，V_DD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线，决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当v_i=0.5sinwt(V)时求出相应的v₀波形和电压增益。

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