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[单选题]

半导体中空穴电流是由()。

A.价电子填实空穴所形成的

B.自由电子作定向运动所形成

C.自由电子填补空穴所形成

D.空穴漂移所形成

答案
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更多“半导体中空穴电流是由()。”相关的问题

第1题

一般情况下,我们知道,半导体中空穴电流是由()。

A.价电子填实空穴所形成的

B.自由电子填补空穴所形成

C.自由电子作定向运动所形成

D.空穴漂移所形成

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第2题

在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。()
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第3题

关于P型半导体的下列说法,错误的是()。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

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第4题

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第5题

一块半导体样品的体积为axbxe如图所示.x轴方向有电流I,沿x方向加有均匀磁场B.实验测得a=0.10cm
,b=0.35cm,c=1.0cm,I=1.0mA,B=0.3T,样品两侧的电势差U=霍耳电压U=6.55mV.

(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)?

(2)求载流子浓度,设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式

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第6题

在半导体中,()的结构比较特殊,以常用的半导体材料锗和硅来说,它们的原子核最外层有四个价电子。

A.分子

B.中子

C.原子

D.离子

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第7题

杂质半导体中,电子的数目与空穴的数目相等。()
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第8题

半导体中运载电荷的载流子是电子和空穴。()
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第9题

在半导体中导电是靠电子和空穴的移动来完成的,因此电子和空穴被称为载流子:那么在P型半导体中,空穴是()载流子。

A、少数

B、多数

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第10题

P型半导体中的多数载流子是()

A.负电荷

B.自由电子

C.正电荷

D.空穴

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第11题

N型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素

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