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题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

答案
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更多“以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。”相关的问题

第1题

以下哪种情况下,半导体为N型的?()

A.本征半导体中掺入施主杂质

B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度

C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度

D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度

E.本征半导体中掺入受主杂质

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第2题

半导体中的光吸收,主要有以下哪几种?()

A.本征吸收

B.自由载流子吸收

C.杂质吸收

D.激子吸收

E.谷间跃迁吸收

F.D-A对吸收

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第3题

材料的禁带宽度,最大的是()

A. 金属;

B. 杂质半导体;

C. 绝缘体;

D. 本征半导体;

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第4题

什么是本征半导体?()

A.没有杂质,没有缺陷的半导体

B.没有杂质的纯净半导体

C.没有缺陷的结构完美的半导体

D.杂质和缺陷数量很多的半导体

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第5题

N型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素

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第6题

P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素硼

C.五价元素锑

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第7题

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

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第8题

随着温度的升高,非简并n型半导体电导率的变化过程为?()

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发)

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第9题

在一定温度下,以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是()。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

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第10题

纯净半导体不是本征半导体。()
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