半导体中运载电荷的载流子是电子和空穴。()

第1题

在半导体中导电是靠电子和空穴的移动来完成的，因此电子和空穴被称为载流子:那么在P型半导体中，空穴是（）载流子。

A、少数

B、多数

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第2题

对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：（)。

A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动

B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动

C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动

D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动

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第3题

P型半导体少数载流子是（)

A.空穴

B.质子

C.电子

D.中子

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第4题

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第5题

关于“光注入”，以下说法错误的是：（)。

A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子

B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度

C.非平衡电子和空穴成对产生

D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子

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第6题

在半导体材料中，其说法正确的是（)

A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电

B.P型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电

C.N型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电

D.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电

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第7题

一块半导体样品的体积为axbxe如图所示.x轴方向有电流I,沿x方向加有均匀磁场B.实验测得a=0.10cm

,b=0.35cm,c=1.0cm,I=1.0mA,B=0.3T,样品两侧的电势差U=霍耳电压U=6.55mV.

(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)？

(2)求载流子浓度，设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式

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第8题

P型半导体中的多数载流子是（)

A.负电荷

B.自由电子

C.正电荷

D.空穴

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第9题

p型半导体的导电载流子只有空穴。（)

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第10题

关于P型半导体的下列说法，错误的是（)。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

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半导体中运载电荷的载流子是电子和空穴。（)