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[判断题]

上芯生产加工过程中已加工芯片只要发现背崩，该芯片报废。（)

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发布时间：2022-06-30

更多“上芯生产加工过程中已加工芯片只要发现背崩，该芯片报废。()”相关的问题

第1题

上芯后的兰膜目测检查项目有（)。

A.顶针是否偏移

B.是否有背崩

C.是否漏芯片

D.是否有沾污

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第2题

上芯后兰膜检查项目有哪些（)。

A.顶针孔是否有顶破兰膜

B.顶针孔位置是否位于芯片中心

C.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

D.是否漏好芯片

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第3题

FCDA生产加工产品不允许有背崩。（)

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第4题

上芯后兰膜检查项目有（)。

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.顶针孔是否有顶破兰膜，造成兰膜缺损

C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象

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第5题

关于双芯片上芯产品的上芯控制要求，以下（)说法是正确的。

A.双芯片上芯产品，一次上芯应先加工导电胶粘片的产品

B.一次上芯后，应进行烘烤后，方可进行二次上芯

C.二次上芯产品烘烤后，可以放置在生产现场的货架上，不必要放在氮气柜中

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第6题

上芯发现产品卡料后,如非A类客户,可以将卡料产品取出后,反馈生产组长排除异常继续加工。（)

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第7题

加工过程中出现遗漏好芯片异常时，作业员应该（)。

A.反馈生产组长重新校准WAFERPR

B.待加工完后将好芯片手动打墨点

C.加工完后将好芯片用镊子夹掉

D.重新校准晶圆PR后继续加工

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第8题

背吃刀量时工件上已加工表面和待加工表面间的垂直距离。（)

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第9题

背吃刀量是指工件上已加工面和待加工面之间的垂直距离。（)

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第10题

上芯加工过程中添加框架时，一次性添加框架数量不得超过3把。（)

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