题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。
A.正值,电子
B.正值,空穴
C.负值,电子
D.负值,空穴
答案
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A.正值,电子
B.正值,空穴
C.负值,电子
D.负值,空穴
第4题
A.VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0
B.VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止
第5题
A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性,电流与基本上是线性关系
D.越大,漏端沟道越来越薄,沟道电阻越大
第6题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
第9题
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
第10题
A.在左侧食道沟内可见胃管端下移
B.鼻嗅胃管端有胃内酸臭气
C.推送胃管稍有阻力感,发滞
D.触摸颈食管沟部感到有一坚硬的索状物
E.无阻力,有时引起咳嗽,胃管不受阻