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[主观题]

在图题5.5.2所示的电路中,已知Rh=260千欧,Re=RL=5.1千欧,Rsi=500千欧,VEE

=12V,β=50 ,试求:(1)电路的Q点;(2)电压增益Ae,输入电阻Ri及输出电阻R0;(3)若vs=200mV,求v0

在图题5.5.2所示的电路中,已知Rh=260千欧,Re=RL=5.1千欧,Rsi=500千欧,VE

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更多“在图题5.5.2所示的电路中,已知Rh=260千欧,Re=RL=5.1千欧,Rsi=500千欧,VEE”相关的问题

第1题

设图题5.4.8所示电路中的VCC=VEE=12V,电流源的IQ=1mA,BJT的β=100,VBEQ=0.6V,
电阻Rh=110千欧,Re=RL=10千欧,对交流信号Cb1和Ce的容抗可以忽略不计。(1)求lBQ,ICQ,负载电流IL,IRC及VCEQ;(2) 画出该电路的小信号等效电路;(3)求电压增益AF、输入电阻Ri和输出电阻R0

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第2题

题5.6图所示电路中,已知开关合上前电感中无电流,求t≥0时的iL(t)和uL(t)。

题5.6图所示电路中,已知开关合上前电感中无电流,求t≥0时的iL(t)和uL(t)。

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第3题

已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3
已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3

)所示。电路参数为,Rg1=180千欧,Rg2=60千欧,Rd=10千欧,RL=20千欧,VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线,决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。

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第4题

(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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第5题

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第6题

在图3.10所示电路中,已知U=220v, 超前于 超前于 求U1和U2

在图3.10所示电路中,已知U=220v,超前于超前于求U1和U2

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第7题

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。

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第8题

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各管的(1)为使试确定RF2值;(2)若RF2=0,电路能否正常工作?

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第9题

在题4-26图(a)所示连续梁中,已知q=15kN/m,M=20kN·m,不计梁重,求梁在A,B和C处的约束力。
在题4-26图(a)所示连续梁中,已知q=15kN/m,M=20kN·m,不计梁重,求梁在A,B和C处的约束力。

在题4-26图(a)所示连续梁中,已知q=15kN/m,M=20kN·m,不计梁重,求梁在A,B和C处的约束力。

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第10题

在题74图(c)所示电路中,设RE1=75Ω,RB2=5Ω,RC=4Ω,RE=1Ω,三极管的β=50,UBE

在题74图(c)所示电路中,设RE1=75Ω,RB2=5Ω,RC=4Ω,RE=1Ω,三极管的β=50,UBE=0.7V,UCC=12V,求

(1)电路的静态工作点;

(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

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