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[主观题]

在图3.10所示电路中，已知U=220v，超前于超前于求U₁和U₂。

在图3.10所示电路中，已知U=220v，在图3.10所示电路中，已知U=220v，超前于超前于求U1和U2。在图3.10所示电路中，已超前于超前于求U₁和U₂。

在图3.10所示电路中，已知U=220v，超前于超前于求U1和U2。在图3.10所示电路中，已

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发布时间：2022-07-08

更多“在图3.10所示电路中，已知U=220v，超前于超前于求U1和U2。”相关的问题

第1题

电路如题图E4-10所示，已知：R₁=8Ω，R₂=12Ω，L=0.6H，U=220V。S闭合后经过多少时间电流i才

达到15A？

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第2题

题图所示电路中，U=220V，I=2A，元件A消耗的功率为()

A.-440W

B.110W

C.440W

D.-110W

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第3题

在题4.4图所示电路中，U_S=4V，u（t)=3sin2tV，求电阻上的电压U_R。

在题4.4图所示电路中，U_S=4V，u(t)=3sin2tV，求电阻上的电压U_R。

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第4题

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第5题

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_（on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_(on)可忽略。试用开关函数求i_c=(i_c1-i_c2)值。

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第6题

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各管的(1)为使试确定R_F2值;(2)若R_F2=0,电路能否正常工作？

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第7题

在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率f_H.(忽略第二级输

在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率f_H.（忽略第二级输

在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率f_H.(忽略第二级输入电容对第一级的影响.)

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第8题

在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，V_BE(on)=0.7 V，I_CBO=10^-15A，试求温

在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，V_BE（on)=0.7 V，I_CBO=10^-15A，试求温

度升高40℃时的I_CQ与V_CEQ值。

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第9题

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下g_m(t)的波形图，并导出混频跨导g_mc表达式。。

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第10题

题图所示电路中，已知R=2Ω，电压表的内阻为2.5kΩ，电源电压U=4V，则开关S断开瞬间电压表两端的电压UV为()

A.5V

B.-5000V

C.5000V

D.-5V

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