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[多选题]

关于本征吸收,以下说法正确的是?()

A.是电子从价带到导带的跃迁,产生电子-空穴对

B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度

C.是电子从导带到价带的跃迁,并伴随发射光子能量

D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度

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更多“关于本征吸收,以下说法正确的是?()”相关的问题

第1题

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第2题

对于P型半导体来说,以下说法不正确的是()。

A.空穴为多子,电子为少子

B.能带图中费米能级靠近价带顶

C.光照时内部不可能产生本征吸收

D.弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比

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第3题

在光与半导体相互作用的过程中,下列说法正确的是()。

A.同一半导体对不同波长的光具有相同的吸收系数

B.任一波长的光照射在半导体上都可以产生电子-空穴对

C.在杂质半导体中不可能发生本征吸收

D.通过在半导体的端面加谐振腔可以提高半导体对光的吸收

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第4题

随着温度的增高,本征半导体内会产生大量的()。

A.电子空穴对

B.自由电子

C.空穴

D.杂质

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第5题

本征激发指的是哪种电子跃迁?()

A.价带的电子跃迁到导带

B.导带的电子跃迁到价带

C.施主态上的电子跃迁到导带

D.受主态上的电子跃迁到价带

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第6题

P型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的

A、电子

B、空穴

C、三价硼元素

D、五价磷元素

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第7题

半导体中同时存在电子和空穴的根本原因是晶格的热振动使电子不断发生从导带到价带的热跃迁。()
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第8题

关于“光注入”,以下说法错误的是:()。

A.只要用光照射半导体材料,就可以产生非平衡载流子

B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度

C.非平衡电子和空穴成对产生

D.受到入射能量的激发,价带电子跃迁到导带,产生非平衡载流子

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第9题

关于激子,以下说法正确的是?()

A.由光激发产生的电子,无法到达导带,与留在价带中的空穴通过库仑力结合在一起,形成一种处于激发状态的新系统

B.新系统中的电子和空穴不能单独移动

C.整个系统呈电中性

D.激子具有和孤立氢原子相同的量子化能级

E.新系统中的电子和空穴可以单独移动

F.通常半导体材料中的激子在室温下就可以观察到

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第10题

P型半导体是在本征半导体中加入微量的()价元素,它的多数载流子是空穴,少数载流子是(),产生的电流主要是()。
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