以下情况属于杂质电离的是?()
A.施主态上的电子跃迁到导带
B.受主态上的空穴跃迁到价带
C.价带的电子跃迁到导带
D.导带的电子跃迁到价带
A.施主态上的电子跃迁到导带
B.受主态上的空穴跃迁到价带
C.价带的电子跃迁到导带
D.导带的电子跃迁到价带
第1题
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
第2题
A.本征半导体中掺入施主杂质
B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度
C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度
D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度
E.本征半导体中掺入受主杂质
第4题
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发)
第7题
B、由于射频直放站需要考虑天线隔离度的要求,一般设计的额定最大发射功率相对较低(但是实际的发射功率需要根据现场情况而定,并不一定会小于光纤直放站的发射功率)
C、射频直放站施主天线需要从空间拾取施主基站信号,要求施主天线附近信号相对纯净(最好无施主基站同频载波存在,否则需要满足一定的载干比)且稳定(满足视距传输,信号波动不大)
D、由于有天线隔离度要弃,为避免施主天线信号馈入业务天线,射频直放站覆盖室外时一般采用定向天线
第8题
A.熔点管不干净,样品不干燥
B.固体样品放在纸上粉碎装管
C.样品中混有熔点较高的杂质
D.在距熔点100C以下较快速度升温
E.样品研磨得不细或装管不紧密
F.读数时,俯视温度计的刻度