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[主观题]

下列扩散杂质源中，()不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

下列扩散杂质源中，（)不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

A.硼

B.锡

C.锑

D.磷

E.砷

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发布时间：2022-05-19

更多“下列扩散杂质源中，()不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。”相关的问题

第1题

对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（)方法引入到硅片中。

A.离子注入

B.溅射

C.淀积

D.扩散

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第2题

以下哪种情况下，半导体为N型的？（)

A.本征半导体中掺入施主杂质

B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度

C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度小于受主浓度

D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度

E.本征半导体中掺入受主杂质

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第3题

下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（)。

A.Na

B.B

C.P

D.As

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第4题

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第5题

施主浓度为10¹³cm³的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。

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第6题

以下情况属于杂质电离的是？（)

A.施主态上的电子跃迁到导带

B.受主态上的空穴跃迁到价带

C.价带的电子跃迁到导带

D.导带的电子跃迁到价带

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第7题

铝、硅、镁都是锡青铜中极为有害的杂质，都极易（)，在熔炼和浇注过程中形成细小难熔的氧化物——Al2O3，SiO2，MgO。

A.氧化

B.吸附

C.凝固

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第8题

在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即（)和（)。

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第9题

饱和蒸汽中的杂质主要有()。

饱和蒸汽中的杂质主要有（)。

A . 碳酸盐分解产生的CO2

B . 调节PH值加入的氨

C . 金属腐蚀产生的H2

D . 钠盐和硅化合物

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第10题

扩散硅差压变送器使用中出现输入压力变化时，输出不稳定故障主要是因为仪表本体绝缘电阻不符合要求。（)

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第11题

酸性浸出在有色湿法冶金中主要应用于()。

酸性浸出在有色湿法冶金中主要应用于（)。

A.从矿石中浸出硅化合物

B.从有色金属氧化矿或中间产品中浸出有色金属

C.分解有色金属含氧酸盐矿物，将其中的伴生金属氧化物除去

D.从冶金中间产品除去某些氧化物或金属杂质

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