题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率()。
A.提高发射区的掺杂浓度
B.采用宽禁带基区材料
C.减小基区掺杂浓度
D.减少发射结复合电流
答案
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A.提高发射区的掺杂浓度
B.采用宽禁带基区材料
C.减小基区掺杂浓度
D.减少发射结复合电流
第6题
测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.
(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的原理是什么?
(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.
第7题
A.发光二极管
B.光敏二极管
C.场效应晶体管
D.NPN半导体晶体管
第9题
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成