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[判断题]

NPN晶体管工作在放大区时,其集电极电位Vc、基极电位VB、发射极电位VE的关系为:Vc>VB>VE。()

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第1题

工作在放大区的某晶体管,当基极电流从20μA增大到40μA时,集电极电流从1亳安变成2毫安,它的β约为()

A.10

B.50

C.100

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第2题

在放大电路中,不管是PNP管还是NPN管,只要基极电位升高,其集电极电位就必定降低。()
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第3题

半导体三极管发射结和集电结均为反向偏置时,晶体管工作在()

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.不能确定

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第4题

根据晶体管的工作状态,以下属于其输出特性区域的有()

A.截止区

B.饱和区

C.放大区

D.基区

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第5题

当晶体管发射结正偏,晶体管工作在放大区。()
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第6题

一个NPN管子在电路中正常工作,现测得UBE>0,UBC小于0,UCE>0,则此时该管子工作区为()

A.饱和区

B.截止区

C.放大区

D.三者皆不是

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第7题

在放大电路中,晶体管工作在放大区,以实现放大作用。()
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第8题

放大电路的非线性失真,是由于晶体管工作时进入()区引起的

A.放大区

B.非线性区

C.线性区

D.稳压区

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第9题

晶体管工作在放大区,发射结和集电结偏置的正确设计是()。

A.正偏、正偏

B.正偏、反偏

C.反偏、正偏

D.反偏、反偏

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第10题

NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()

A.基极、集电极、发射极

B.发射极、基极、集电极

C.集电极、发射极、基极

D.集电极、基极、发射极

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第11题

当改变单一晶体管放大电路集电极电阻RC而其它参数不变时,其静态工作点Q随之向()移动。

A.上

B.下

C.左

D.右

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