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[多选题]

单边突变结的（)主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.内建电势

B.耗尽区宽度

C.最大电场

D.势垒高度

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发布时间：2022-09-30

更多“单边突变结的()主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。”相关的问题

第1题

在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（)。

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

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第2题

在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（)。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

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第3题

杂环胺类主要的毒性作用包括（）。

A.致畸形

B.致突变

C.致癌

D.失聪

E.心力衰竭

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第4题

配合物的空间构型主要取决于中心原子的杂化类型。（)

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第5题

煤或焦炭中的灰熔点取决于灰分中的酸性氧化物和碱性氧化物含量及其比例，如果灰分多而且灰熔点低，气化时料层中易结渣。因此，一般要求气化原料的灰分熔点大于或等于1000℃较为适宜。()此题为判断题(对，错)。

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第6题

关于P型半导体的下列说法，错误的是（)。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

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第7题

下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（)。

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

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第8题

关于pn结的注入特性，以下说法正确的是？（)

A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一

B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求

C.决定异质pn结注入比的是，通常可获得较大的注入比

D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比

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第9题

机械化、半机械化控制的人机系统的安全性主要取决于()等。

A.机器的冗余系统失灵

B.人机功能分配的合理性

C.机器的本质安全性

D.人处于低负荷时应急反应变差

E.人为失误

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第10题

全自动化控制的人机系统的安全性主要取决于()等。

A.机器的本质安全性

B.机器的冗条系统失灵

C.人机功能分配的合理性

D.人为失误

E.人处于低负荷时应急反应变差

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第11题

提升机走料慢的主要原因是( )。

(A) 振幅小

(B) 胶料温度低、粘性大

(D) 胶粒结团

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