更多“运用基区扩散电阻,设计一个方块电阻200欧,阻值为1K的电阻,已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。”相关的问题
第3题
一个XCZ-101,内部电阻为200欧姆,外部电阻为18欧姆,测量误差为()。
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第4题
扩散工艺主要测量哪些参数?
A.结深Xj
B.击穿电压Vb
C.扩散薄层电阻
D.密度
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第5题
我们可以通过简单的结深测量和()测量来获得扩散层的重要信息。
A.横向电阻
B.平均电阻率
C.薄层电阻
D.扩展电阻
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第6题
在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用()测量。
A.SIMS技术
B.扩展电阻技术
C.微分电导率技术
D.四探针技术
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第7题
满足双极晶体管的正常工作,需要晶体管的基区非常薄,小于少子的扩散长度才可,这样使扩散远远大于复合。()
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第8题
电控车辆上水温、油温、进气温度传感器为()
A.扩散电阻式
B.热敏电阻式
C.半导体晶体管式
D.热电偶式
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第9题
以npn晶体管为例,内建电场的存在加速了()在基区中的运动,该载流子做()运动。
A.电子,扩散
B.电子,漂移和扩散
C.空穴,扩散
D.空穴,漂移和扩散
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第10题
扩散硅差压变送器使用中出现输入压力变化时,输出不稳定故障主要是因为仪表本体绝缘电阻不符合要求。()
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第11题
扩散硅压阻片的测压原理是半导体的电阻变化率与被测压力()。
A.成正比
B.成反比
C.成线性关系
D.成一定的函数关系
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