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[主观题]

运用基区扩散电阻,设计一个方块电阻200欧,阻值为1K的电阻,已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。

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更多“运用基区扩散电阻,设计一个方块电阻200欧,阻值为1K的电阻,已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。”相关的问题

第1题

方块电阻又称薄层电阻/膜电阻。()
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第2题

方块电阻的测量方法有()。

A.两探针法

B.四探针法

C.扩展电阻法

D.欧姆表

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第3题

一个XCZ-101,内部电阻为200欧姆,外部电阻为18欧姆,测量误差为()。

A.3

B.3%

C.1.39%

D.1.38%

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第4题

扩散工艺主要测量哪些参数?

A.结深Xj

B.击穿电压Vb

C.扩散薄层电阻

D.密度

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第5题

我们可以通过简单的结深测量和()测量来获得扩散层的重要信息。

A.横向电阻

B.平均电阻率

C.薄层电阻

D.扩展电阻

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第6题

在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用()测量。

A.SIMS技术

B.扩展电阻技术

C.微分电导率技术

D.四探针技术

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第7题

满足双极晶体管的正常工作,需要晶体管的基区非常薄,小于少子的扩散长度才可,这样使扩散远远大于复合。()
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第8题

电控车辆上水温、油温、进气温度传感器为()

A.扩散电阻式

B.热敏电阻式

C.半导体晶体管式

D.热电偶式

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第9题

以npn晶体管为例,内建电场的存在加速了()在基区中的运动,该载流子做()运动。

A.电子,扩散

B.电子,漂移和扩散

C.空穴,扩散

D.空穴,漂移和扩散

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第10题

扩散硅差压变送器使用中出现输入压力变化时,输出不稳定故障主要是因为仪表本体绝缘电阻不符合要求。()
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第11题

扩散硅压阻片的测压原理是半导体的电阻变化率与被测压力()。

A.成正比

B.成反比

C.成线性关系

D.成一定的函数关系

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