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[单选题]
弧柱区的电离主要是()。
A.热电离
B.场致电离
C.光电离
D.不确定
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A.热电离
B.场致电离
C.光电离
D.不确定
第6题
A.低温区,载流子浓度随温度按指数规律变化
B.强电离区,载流子浓度不随温度变化
C.本征激发区,载流子浓度随温度按指数规律变化
D.强电离区,载流子浓度随温度按指数规律变化
E.本征激发区,载流子浓度不随温度变化
F.低温区,载流子浓度不随温度变化
第7题
A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏
B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质
C.漏极电流增大而形成雪崩击穿
D.发射出光子,形成光发射电流
第9题
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程