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[主观题]
在题5-13图所示电路中,电容端电压相量为100∠0°V.试求U和I1并绘出相量图.
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第2题
RLC串联电路的端电压,当C=8μF时,电路中吸收的功率为最大,Pmax=100W。试求:(1)电感L和Q值;(2)作出电路的相量图。
第4题
两种改进型电容三点式振荡电路如图题9.7.3a,b所示,试回答下列问题:
(1)画出图a的交流通路,若Cb很大,C1>>C3,C2>>C3,求振荡频率的近似表达式;
(2)画出图b的交流通路,若Cb很大,C1>>C3,C2>>C3,求振荡频率的近似表达式;
(3)定性说明电容对两种电路振荡频率的影响。
第5题
两种改进型电容三点式振荡电路如图题10.7.3ab所示,试回答下列问题:
(1) 画出图a的交通流路,若Cb很大,C1>C3,C2>C3,求振荡频率的近似表达式;
(2) 画出图b的交流电路,若Cb很大,CC1>C3,C2>C3,求振荡频率的近似表达式;
(3) 定性说明杂散电容对两种电路振荡频率的影响。
第9题
在图1.4.5(a)所示的硅二极管电路中,已知vi=10sinωt(mV),电容C对交流呈现的容抗可以忽略不计。写出va的电压表达式。
第11题
在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输入电容对第一级的影响.)