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[主观题]

图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VBE(on)=0.7 V。(1)若要求集电

图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VBE(on)=0.7 V。(1)若要求集电极电压VO=(5~7)V,试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管,电源电压数值不变,试问晶体管与外电路应如何连接,为保持集电极电压|VO|、电流IC不变,试计算R1、R2值。

图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VB

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第1题

在图9.7所示的共射放大电路中,UCC=24V,RB1=33kQ,RB2=10kΩ,RC=3.3kΩ,RE=1.5kΩ,RL=5.1kΩ,硅晶体管的β=66,试做

在图9.7所示的共射放大电路中,UCC=24V,RB1=33kQ,RB2=10kΩ,RC=3.3kΩ,RE=1.5kΩ,RL=5.1kΩ,硅晶体管的β=66,试做静态分析和动态分析。

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第2题

分别测得两个放大电路中三极管的各电极电位如图(a)和图(b)所示。试判别其引脚,分别标上e,b,c,并判断这两个三

分别测得两个放大电路中三极管的各电极电位如图(a)和图(b)所示。试判别其引脚,分别标上e,b,c,并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型,是硅管还是锗管。

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第3题

在图7.41所示的共集放大电路中,设UCC=10V,RF=5.6kΩ,RB=240kΩ,三极管为硅管,β=40,
信号源内阻RS=10kΩ,负载电阻RL=1kΩ,试估算静态工作点,并计算电压放大倍数和输入、输出电阻。

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第4题

在图9.3(a)所示放大电路中,增加RC能否增大电压放大倍数?RC过大,对电路的工作会有什么影响?

在图9.3(a)所示放大电路中,增加RC能否增大电压放大倍数?RC过大,对电路的工作会有什么影响?

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第5题

在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温

度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。

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第6题

放大电路如下图所示,晶体管VT1为硅管,UBE1=0.7V,β1=40;VT2为锗管,UBE2=-0.2V,β2=100,RB=16.1kΩ。

放大电路如下图所示,晶体管VT1为硅管,UBE1=0.7V,β1=40;VT2为锗管,UBE2=-0.2V,β2=100,RB=16.1kΩ。

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第7题

设图题6.3.3所示放大电路中的.试求该电路源电压增益的下限频率fL

设图题6.3.3所示放大电路中的.试求该电路源电压增益的下限频率fL

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第8题

基本放大电路如图T4.3(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电

基本放大电路如图T4.3(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)~(e)所示,它们均正常工作。试说明图(c)~(e)所示电路中(1)哪些电路的输入电阻比较大;(2)哪些电路的输出电阻比较小。

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第9题

在图1.4.5(a)所示的硅二极管电路中,已知vi=10sinωt(mV),电容C对交流呈现的容抗可以忽略不计。写出

在图1.4.5(a)所示的硅二极管电路中,已知vi=10sinωt(mV),电容C对交流呈现的容抗可以忽略不计。写出va的电压表达式。

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第10题

放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算: (1)输入电阻Ri,电压放大倍数和; (2)若

放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:

(1)输入电阻Ri,电压放大倍数

(2)若去掉电容Ce后,再求出输入电阻Ri和放大倍数

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第11题

图8.7所示电路中的UA=0V,UB=1V,试求下述情况下输出端的电压UF。 (1) 二极管为理想二极管。 (2) 二极管

图8.7所示电路中的UA=0V,UB=1V,试求下述情况下输出端的电压UF

(1) 二极管为理想二极管。

(2) 二极管为锗二极管。

(3) 二极管为硅二极管。

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