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(请给出正确答案)
[主观题]
在如图D-2所示电路中,电动势E=100V,内阻R0=0.5Ω,电阻R1=4.5Ω,R2=95Ω。求:(1)电路总电流;(2)电阻R1和R2上的电压;(3)电源总功率;(4)负载消耗的功率。图D-2
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第1题
第2题
测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.
(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的原理是什么?
(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.
第3题
电路如图题2.1.1所示,运放的设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=100μV,试求输出电压v0=?实际上v0应为多少?(2)设Vom=±11V,画出它的传输特性。
第4题
第5题
体是在串联还是并联谐振下工作?(2)电路中采用了什么稳幅措施,它是如何工作的?
第6题
值;(2)求闭环电压增益AP=v0/vs、电流增益Ai=iL/i1和功率增益AP=P0/Pi;(3)当最大输出电压Vo(max)=10V,反馈支路R1、R2的电流为100μA,R2=9R1时,求R1、R2的值。
第8题
第10题
多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的|VBE|=0.6V,β=∞,各管结面积相同。
第11题
电路如图P3.1(c)、(e)所示,晶体管的β均为200,rbe均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解Au、Ri和R0.
P3.1