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[判断题]

MOS结构半导体表面处于反型区时，表面电荷的改变主要依靠的是漂移与扩散运动。（)

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发布时间：2022-08-17

更多“MOS结构半导体表面处于反型区时，表面电荷的改变主要依靠的是漂移与扩散运动。()”相关的问题

第1题

以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中，正确的是（)。

A.半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值

B.空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C.空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D.对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第2题

理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示。（)

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第3题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为（)，达到阈值电压后，表面为（)状态。

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

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第4题

通常在一定温度下我们把半导体的电阻看作是线性的和不变化的，但是在半导体上通过高频电流时，

电流会倾向于在导体的表面流动，其电流密度会随进入导体的深度而呈指数下降，该现象被称为()。

‎

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第5题

用半导体的微细加工技术，在非晶基片上通过使用微细的表面结构，考察了单晶成长方法，并命名为()

用半导体的微细加工技术，在非晶基片上通过使用微细的表面结构，考察了单晶成长方法，并命名为（)

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第6题

下列关于蓄电池的保养，做法正确的是（）

A．保持蓄电池表面清洁

B．保持电解液的液面高度高于极柱10-15mm

C．使蓄电池处于充足电状态

D．电解液液面低时补充纯净水

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第7题

半导体数码管又称LED，具有工作电压低、易于TTL、（)数字电路兼容，发光反应时间短，高频特性好使用寿命长，成本低等特点。

A.CMOS

B.SCR

C.MOS

D.UJT

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第8题

‎MOS电容器的基本结构包含()。‌

‎MOS电容器的基本结构包含（)。‌

A.半导体(Si衬底)

B.金属(栅极/电极)

C.氧化物(SiO2)

D.以上都不是

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第9题

一般地，对塑件表面粗糙度影响较大的除了（）外就是模具温度，（）模具温可改善塑件表面状态。（）

A.型腔表面加工质量、降低

B.型腔表面加工质量、提高

C.模具结构、降低

D.模具结构、提高

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第10题

再次进入机体的变应原与固定在嗜碱性粒细胞和肥大细胞表面受体上的特异性IgE结合引起的免疫反应为（）

A．Ⅰ型超敏反应

B．Ⅱ型超敏反应

C．Ⅲ型超敏反应

D．Ⅳ型超敏反应

E．Ⅴ型超敏反应

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