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第1题
MOS管的栅极与双极型三极管的（)相对应。
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第2题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。
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第3题
下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（)。
A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
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第4题
在电学性质上，MOS管的源和漏是可以相互交换的，双极型晶体管的发射极和集电极是可以相互交换的。（)
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第5题
判断一个MOS管是否导通的关键是（)与阈值电压作比较。
A.衬底与源间电压
B.漏源电压
C.栅漏电压
D.栅源电压
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第6题
已知某耗尽型MOS管的夹断电压UP=-2.5V，饱和漏极电流IDSS=0.5mA，求UGS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。
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第7题
绝缘栅双极型晶体管是以下哪（)种原件的复合管。
A.电力晶体管
B.可关断晶闸管
C.功率场效应晶体管
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第8题
常用的电力电子器件有：()。
常用的电力电子器件有：（)。
A.双极晶体管
B.绝缘栅双极晶体管
C.电力MOS场效应管
D.门极关断晶闸管
E.场控晶闸管
第9题
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)
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第10题
直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（)。
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
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