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[主观题]

在图10.6所示电路中，已知U=1.5V，R1=3kΩ，R2=3kΩ，R3=6kΩ，RF=6kΩ，求U0。

在图10.6所示电路中，已知U=1.5V，R1=3kΩ，R2=3kΩ，R3=6kΩ，RF=6kΩ，求

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发布时间：2023-03-03

更多“在图10.6所示电路中，已知U=1.5V，R1=3kΩ，R2=3kΩ，R3=6kΩ，RF=6kΩ，求U0。”相关的问题

第1题

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第2题

在图3.10所示电路中，已知U=220v，超前于超前于求U₁和U₂。

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第3题

在图所示电路中，已知t=0时电路处于直流稳态，求t＞0时的电流i（t)和电压u（t)。

在图所示电路中，已知t=0时电路处于直流稳态，求t＞0时的电流i(t)和电压u(t)。

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第4题

在图所示电路中，已知非线性电阻的伏安特性为i=g（u)=直流电压源US=4V，小信号电压源uS（t)=15cosωtmV。试求工作

在图所示电路中，已知非线性电阻的伏安特性为i=g(u)=直流电压源U_S=4V，小信号电压源u_S(t)=15cosωtmV。试求工作点和在工作点处由小信号电压源产生的电压和电流。

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第5题

图所示电路中，已知电压u=220sin100πtV，R=11Ω，L=211mH，C=65μF。求各元件的电压。

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第6题

在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中，若RF1=RF2=1kΩ，C1=C2=0.1μF，G1和G2为74LS04（六反相器)中的两个反相

在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中，若R_F1=R_F2=1kΩ，C₁=C₂=0.1μF，G₁和G₂为74LS04(六反相器)中的两个反相器，G₁和G₂的V_OH=3.4V，V_TH=1.1V，V_IK=-1.5V，R₁=20kΩ，求电路的振荡频率。

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第7题

已知某共射放大电路的波特图如题3－5图所示，试写出的表达式。

已知某共射放大电路的波特图如题3-5图所示，试写出A^﹠_u的表达式。

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第8题

图所示正弦稳态电路，已知电源电压有效值U为100V，频率f为50Hz，各支路电流有效值I=I1=I2，电路消耗平均功率866

图所示正弦稳态电路，已知电源电压有效值U为100V，频率f为50Hz，各支路电流有效值I=I₁=I₂，电路消耗平均功率866W。若电源电压U不变，而频率f为100Hz时，求此时各支路电流I，I₁，I₂及电路消耗的平均功率。

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第9题

在题4.4图所示电路中，U_S=4V，u（t)=3sin2tV，求电阻上的电压U_R。

在题4.4图所示电路中，U_S=4V，u(t)=3sin2tV，求电阻上的电压U_R。

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第10题

在题5-13图所示电路中,电容端电压相量为100∠0°V.试求U和I₁并绘出相量图.

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第11题

在图3－6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的，VGS（th)=－1V，并忽略沟道长度调制效应。

在图3-6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的，V_GS(th)=-1V，并忽略沟道长度调制效应。

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