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整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子()而产生的过电压。

整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子（)而产生的过电压。

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发布时间：2022-07-18

更多“整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子()而产生的过电压。”相关的问题

第1题

三相半波可控整流电路的自然换相点是（）。

A.交流相电压的过零点

B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处

C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°

D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°

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第2题

在可控整流电路中，使用晶闸管应有（)保护。

A.过电压

B.过电流

C.短路

D.欠电压

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第3题

硅可控整流元件是一种新型大功率半导体器件,习惯上称它为可控硅。（)

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第4题

快速熔断器主要用于半导体整流元件或()的短路保护。

快速熔断器主要用于半导体整流元件或（)的短路保护。

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第5题

可控硅整流装置的过电压保护有哪些？

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第6题

180o导电型电压源型三相桥式逆变电路，其换相是在不同一臂的上、下二个开关元件之间进行。（)

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第7题

在可控硅整流装置中，自动稳定调节回路常采用直流互感器作为（)。

A.保护元件

B.测量元件

C.反馈元件

D.平衡元件

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第8题

下列配电装置的主要整定内容中，属于零序过电流保护整定的是（)。

A.电流元件整定

B.时间元件整定

C.方向元件整定

D.重合闸延时整定

E.过电压范围整定

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第9题

（)是晶闸管装置常采用的过电压保护措施之一。

A.热敏电阻

B.硅堆

C.阻容吸收

D.高灵敏过电流继电器

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第10题

道岔表示电路中三相交流转辙机正向电流不小于（)带冗余措施的整流元件。

A.0.3A

B.0.5A

C.1A

D.15A

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